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型号 SI8401DB-T1-E1
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET P-CH 20V 3.6A 2X2 4-MFP
SI8401DB-T1-E1 PDF
代理商 SI8401DB-T1-E1
产品目录绘图 DB-T1-E1 Series 4-MFP
标准包装 3,000
系列 TrenchFET®
FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 3.6A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 65 毫欧 @ 1A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 1.4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 17nC @ 4.5V
功率 - 最大 1.47W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 4-XFBGA，CSPBGA
供应商设备封装 4-Microfoot
包装 带卷 (TR)
其它名称 SI8401DB-T1-E1TR
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